Z-C2 半导体中的杂质能级
2017-04-29 17:26:05 0 举报
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在Z-C2半导体中,杂质能级是一个重要的概念。这些能级是由于掺杂了不同的元素(如硼或磷)进入晶体结构而形成的。这些杂质原子会替代原有的半导体原子,从而改变了半导体的电子结构和电性。杂质能级通常位于禁带内,它们可以捕获或者释放电子,从而影响半导体的导电性。例如,如果一个杂质能级接近导带底,那么它就可以很容易地将电子注入到导带中,使得半导体变得导电。反之,如果一个杂质能级接近价带顶,那么它就可以吸收电子,使得半导体变得绝缘。因此,通过精确控制杂质的类型和浓度,我们可以调控Z-C2半导体的电性和功能。
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大纲/内容
半导体中的杂质能级
半导体的杂质和掺杂
1.施主杂质和施主能级
2.受主杂质和受主能级
3.施主杂质和受主杂质的比较
4.浅能级杂质和深能级杂质
浅能级杂质
提供载流子
磷 硼
深能级杂质
提供复合中心
金 银
5.杂质的补偿作用
6.Au在Si中的掺杂作用
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