floating gate

浮栅（Floating Gate）是MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中的一种结构，位于源极和漏极之间的沟道区域。它是一个被绝缘层包围的导电层，可以存储电荷。当在控制栅极上施加电压时，电子会通过通道注入到浮栅中，从而改变其电荷状态。这种电荷状态的变化会导致浮栅电势的改变，进而影响MOSFET的阈值电压，从而实现对电流的控制。浮栅技术广泛应用于闪存、EEPROM等非易失性存储器中，以及一些数字逻辑电路中。