3D封装
2020-04-09 17:26:55 1 举报AI智能生成
3D封装技术
作者其他创作
大纲/内容
主要工艺
微凸点
互连节距
几百微米
40 μm
<5 微米
无凸点
再布线
布线能力
1 mm → 1μm → 亚微米
植球
C2W
W2W
拆键合
TSV
发展
＜ 5 μm
深宽比＞10
先进封装
Flip-chip
WLCSP
Fan-Out
Embedde IC
3D WLCSP
3D IC
2.5D Interposer
技术
硅通孔（TSV）
再分布层（RDL）
微凸点（Bump）
特征
细节距再布线
细节距微凸点
主流TSV深宽比10:1
厚度约100 μm
技术发展图
https://mmbiz.qpic.cn/mmbiz_jpg/PPjicjiaaauh8Eu5liapMIm0VcicXvodLh0vUw5tXzUVwcia4zG4lsY2iaFOWKib5FZaBu2gedED7dv3Lc3UgjmfwpiabQ/640?wx_fmt=jpeg&tp=webp&wxfrom=5&wx_lazy=1&wx_co=1
各家技术
台积电SoIC
无凸点
CoWoS
WoW
CoW
2021量产
10 μm以下I/O节距互连
减少寄生效应
英特尔Foveros
EMIB（Embedded Multi-Die Interconnect Bridge）
连接
不同节点
不同材质
不同功能
芯片边缘嵌入小块硅
Intel Co-EMIB
2D EMIB升级
多个Foveros元件互连
Fan-Out
英飞凌eWLB（Embedded Wafer Level BGA）
模塑料
CTE不匹配
翘曲
对准精度差
晶片拿持困难
位置偏移
飞思卡尔RCP
台积电InFO
CoWoS简化
苹果A10
华天科技eSiFO（embedded Silicon Fan-Out）
埋入硅基板
FOPLP（Fan-Out Panel Level Packaging面板级扇出封装）
三星机电
日月光
力成科技
中科四合
三维玻璃通孔封装（TGV，Through Glass Via）
介电常数低
损耗角小
射频
工艺流程简单
机械稳定性强
成本低
大尺寸
厦门云天半导体
3D WLCSP
华天科技
云天半导体
应用
人工智能
高性能计算
自动驾驶
5G
物联网
封装
电源分配
信号分配
散热
保护
中道封装
2010年
晶圆级封装（WLP）
硅通孔（TSV）
2.5D interposer
3D IC
Fan-Out
对比Fan-In
I/O数目、封装尺寸无要求
多芯片系统封装
晶圆级取消基板和凸点，不需要倒装
更薄的封装尺寸
优异的电性能
易于多芯片集成
对比TSV
成本更低
工艺更简单
台积电
集成互连与封装技术整合部门
2008年成立
战略布局3D IC系统整合平台
2009年
2.5D Interposer 研发
2010年
CoWoS推出
2011
CoWoS
第一代
65 nm
.25 μm线宽
4层布线
应用
FPGA
Virtex-7 2000T（Xilinx）
https://mmbiz.qpic.cn/mmbiz_jpg/PPjicjiaaauh8Eu5liapMIm0VcicXvodLh0vdNJThEp9k6sFictW3hmkRicliblBnl6J0Zw4PvfxfZlCYd186zqRUBsibw/640?wx_fmt=jpeg&tp=webp&wxfrom=5&wx_lazy=1&wx_co=1
GPU
AI引爆
GP100（英伟达）
2016
TPU2.0（Google）
2017（AlphaGo）
Nervana（Intel）
2017
首度产能扩充
高带宽存储器（HBM）
2013年
10月
JEDEC通过工业标准
AMD Radeon Fury上应用
2016年
1月
第二代HBM（HBM2）成为工业标准
Tesla P100（英伟达的运算加速卡）
AMD Radeon RX Vega系列
8 GB x 8
逻辑芯片
英特尔Knight Landing
整体比较
https://mmbiz.qpic.cn/mmbiz_jpg/PPjicjiaaauh8Eu5liapMIm0VcicXvodLh0vXk1adu3TKMpPcoOaa3DX9kUP6QiaQXEnPxaNEjKlibXHAibUrghhlrDWQ/640?wx_fmt=jpeg&tp=webp&wxfrom=5&wx_lazy=1&wx_co=1
发展方向
系统集成
高速
高频
三维
0 条评论
下一页
