薄膜晶体管物理、工艺与SPICE建模
2020-09-22 21:29:37 0 举报AI智能生成
薄膜晶体管物理、工艺与SPICE建模
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大纲/内容
4 低温多晶硅（LTPS）TFT的结构、工艺与器件物理
4.1 缓冲层以及a-Si层
4.1.1 薄膜的沉积
4.2 LTPS层
4.3 LTPS薄膜的电学特性
4.4 传统的固相结晶技术（SPC）
4.5 金属诱导结晶（MIC）
4.6 TFT沟道与N-TFT源/漏的形成
4.7 栅绝缘（GI）层
4.8 p型TFT源/漏与n型TFT LDD的形成
4.9 层间介质层（Interlayer Dielectric Film, ILD）
4.10 信号线（Data line）
4.11 LTPS TFT器件的电学性质
4.11.1 栅极正向偏置
5 LTPS TFT的SPICE模型
5.1 DC模型
5.1.1 TFT有效开启电压的表达式
5.2 AC模型
6 IGZO TFT的结构、工艺与器件物理
6.1 IGZO工艺概述
6.2 平板显示用IGZO TFT的结构
6.3 IGZO TFT的电学特性
6.3.1 栅极正向偏置
1 薄膜晶体管（TFT）用于平板显示
1.1 TFT用于液晶平板显示
1.1.1 LCD显示技术原理
1.1.2 矩阵显示
1.1.3 AMLCD显示技术对TFT特性的要求
1.2 TFT用于OLED平板显示
1.2.1 有机发光二极管（OLED）
1.3 TFT的SPICE建模与仿真
1.3.1 SPICE仿真与建模
2 a-Si:H TFT的结构、工艺与器件物理
2.1 平板显示用a-Si:H TFT的结构与工艺
2.2 a-Si:H TFT器件的电学特性
2.2.1 栅极（Gate）正向偏置
3 a-Si:H TFT的SPICE模型
3.1 DC模型
3.1.1 a-Si:H TFT开启前
3.2 AC模型
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